Jonas Lähnemann
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Jonas Lähnemann
Wissenschaftlicher Mitarbeiter (Senior Scientist)

Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
Berlin, Deutschland


Auf diesen Seiten finden sich:

Informationen zu meinem wissenschaftlichen Werdegang

Fotos, vor allem von Reisen und Auslandsaufenthalten

Berichte von meiner Studienzeit in Kenia

Eindrücke aus der Zeit meines Zivildienstes in Israel

Informationen zu meinem Flevo-Liegerad





Weitere Informationen

Eine Liste hilfreicher Open-source Software. (englisch)

Eine Zusammenfassung der Richtlinien wissenschaftlicher Verlage bezüglich elektronischer Vorabdrucke (preprints). (englisch)

Ausgewählte Veröffentlichungen

J. Lähnemann, et al.
Carrier Diffusion in GaN: A Cathodoluminescence Study. III. Nature of Nonradiative Recombination at Threading Dislocations
Phys. Rev. Appl. 17, 024019 (2022)
[DOI:10.1103/PhysRevApplied.17.024019] [arXiv:2009.14634] [BibTeX] [PDF / © APS; download for personal use only]

J. Lähnemann, et al.
Correlated nanoscale analysis of the emission from wurtzite versus zincblende (In,Ga)As/GaAs nanowire core-shell quantum wells
Nano Lett. 19, 4448 (2019)
[DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01241] [arXiv:1903.07372] [BibTeX] [ACS author link]

J. Lähnemann, et al.
Near-infrared intersubband photodetection in GaN/AlN nanowires
Nano Lett. 17, 6954 (2017)
[DOI:10.1021/acs.nanolett.7b03414] [arXiv:1710.00871] [BibTeX] [ACS author link]

J. Lähnemann, et al.
Luminescence associated with stacking faults in GaN (topical review)
J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 423001 (2014)
[DOI:10.1088/0022-3727/47/42/423001] [arXiv:1405.1261] [BibTeX]

J. Lähnemann, et al.
Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN
Phys. Rev. B 86, 081302(R) (2012)
[DOI:10.1103/PhysRevB.86.081302] [arXiv:1201.4294]
[PDF / © APS; download for personal use only] [BibTeX]

Weitere Veröffentlichungen



Vorträge

Revisiting the determination of the carrier diffusion length in GaN from cathodoluminescence spectroscopy (invited)
November 2023, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), Fukuoka, Japan

LumiSpy for Processing Luminescence Spectroscopy Data (invited tutorial)
June 2023, IUMAS8 -- Open-Source Data Analysis Workshop, Banff, Canada

Acousticoelectric transport in a single (In,Ga)As nanowire imaged by hyperspectral cathodoluminescence mapping (invited talk)
March 2023, 2nd Workshop on Cathodoluminescence and Electron Beam Induced Current of Semiconductor Nanostructures, Grenoble, France

Nature of Nonradiative Recombinationat Threading Dislocations in GaN (contributed talk)
October 2022, International Workshop on Nitride Semiconductors, Berlin, Germany

Emission properties of quantum well shells on zincblende and wurtzite nanowire segments (invited talk)
September 2021, European Materials Research Society (EMRS) Fall Meeting, Warsaw, Poland

Weitere Vorträge und Konferenzbeiträge

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